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數(shù)字控制器補償模擬控制器
用于電源控制的新興數(shù)字 IC 缺乏模擬 IC 中常見的基本功能，例如內置柵極驅動和電流限制。數(shù)字電源控制器通常僅具有 PWM（脈寬調制）邏輯輸出，并且分立柵極驅動器很少包含電流限制。此外，大多數(shù)受保護的 FET 僅在低頻、低側應用中工作。
2023-08-02
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毫米波雷達半精度浮點存儲格式分析
雷達信號處理需要使用大量內存進行中間結果和最終結果的保存，而內存大小直接影響處理芯片的成本。選擇合適的數(shù)據(jù)存儲格式，既保留較高的信號分辨率和動態(tài)范圍，又不占用太大的存儲空間是相當重要的。本文介紹了TC3xx單片機雷達信號處理單元SPU支持的半精度浮點格式，將其和32bit整型數(shù)格式進行比較，分析了兩者的動態(tài)范圍及實際處理誤差，發(fā)現(xiàn)半精度浮點格式是“性價比”較高的存儲方式。另外，Tricore? CPU還有專用硬件指令支持半精度和單精度浮點格式的相互轉換，便于信號的后期處理，并縮短數(shù)據(jù)格式轉換時間。
2023-08-01
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貿澤電子新品推薦：2023年第二季度推出近30,000個新物料
2023年7月20日 – 業(yè)界知名的全球授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics)，專注于快速引進新產品與技術，幫助客戶設計出先進產品，并加快產品上市速度，實現(xiàn)從設計鏈到供應鏈?的全程優(yōu)勢。貿澤受到1,200多家半導體和電子元件制造商的信任，幫助他們將產品分銷到全球市場。貿澤旨在為客戶提供全面認證的原廠產品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2023-08-01
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安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車載充電器升級到 800V 電池架構
自電動汽車 (EV) 在汽車市場站穩(wěn)腳跟以來，電動汽車制造商一直在追求更高功率的傳動系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時間。為滿足客戶需求和延長行駛里程，電動汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時間就越長。
2023-07-28
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電源設計更快更好，高效能圖騰柱PFC應用須知
現(xiàn)今電源供應器市場為因應全球減碳活動，已經將效能目標設定為更高效率、減少損失、節(jié)省能源、降低成本、提高系統(tǒng)容量為主。安森美(onsemi)提出最新高效能Totem Pole(圖騰柱) 結合全橋整流器之PFC IC NCP1680/1681設計方案，相較傳統(tǒng)PFC之轉換效率可以提升3%~4%，符合未來電源供應器之節(jié)省能源，降低成本，提高系統(tǒng)容量之訴求。加上NCP1680/1681快速的負載暫態(tài)補償響應，以及高規(guī)格安規(guī)等級各式保護功能，特別是具有PFC-OK訊號供應后級電源時序控制，NCP1680/1681應用達到高效率，高功率因子，以及高穩(wěn)定性PFC應用。
2023-07-28
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介紹一款適用于汽車和工業(yè)場合的高效同步SEPIC控制器
LT8711是一款直流-直流控制器，支持同步降壓、升壓、SEPIC、ZETA和非同步降壓-升壓等拓撲。ADI有多款同步降壓、升壓變換器和控制器，但支持同步SEPIC拓撲的并不多。SEPIC拓撲其實非常實用，因為無論輸入電壓遠低于或遠高于輸出電壓，它都能提供穩(wěn)定的電平輸出。
2023-07-27
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅動器使用指南
SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動器）的使用指南。本文為第三部分，將重點介紹NCP51705 SiC 柵極驅動器的使用指南。
2023-07-26
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全集成汽車USB Type-A和USB Type-C充電器控制芯片
汽車中控系統(tǒng)通常都會提供一個 USB 充電端口，該端口需要在傳輸數(shù)據(jù)的同時為移動設備充電。對這些系統(tǒng)而言，選擇帶 USB 限流開關的汽車級 IC 非常重要。本文將介紹 MPS 的 USB 充電端口降壓變換器 MPQ4228-C-AEC1，以及如何將其高效率的優(yōu)勢應用于 USB 集線器和其他 USB Type-C 、USB Type-A 應用中。
2023-07-25
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如何從正電壓電源獲得負電壓，正電壓轉負電壓的方法圖解
該電路圖顯示了如何從正電壓電源獲得負電壓。該電路的另一個優(yōu)點是，負電壓與原始正電源一起可用于模擬雙電源。該電路基于定時器ICNE555。NE555作為非穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器接線，工作頻率約為1KHz。方波輸出（如果位于IC的引腳3處）。
2023-07-25
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借助更多的選項響應正反饋
負反饋什么時候會變成正反饋？當控制工程師想要實現(xiàn)不錯的增益和相位裕度時。本博文概述第 4 代 SiC FET 如何為設計人員提供理想性能和多種器件選擇，同時支持更高的設計靈活性，從而實現(xiàn)成本效益最優(yōu)的功率設計。
2023-07-24
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華潤微總裁李虹：中國半導體市場下滑趨勢有到底跡象！
6月17日，在廣州南沙召開的第二屆中國?南沙國際集成電路產業(yè)論壇（2023 IC NANSHA）上，國內IDM大廠華潤微（SH688396）總裁李虹在演講中表示，中國半導體市場規(guī)模在過去的一年當中，增速弱于全球，呈現(xiàn)周期性衰退，但下滑趨勢有到底跡象。
2023-07-24
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工程師必須知道的大電流單通道柵極驅動器設計技巧
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅動器，內置電流隔離功能，用于在高功率應用中實現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。其特性包括：互補輸入（IN+ 和 IN-），開漏故障（1686908889869977.png）和就緒 (RDY) 輸出，復位或清除故障功能（1686908875512772.png），有源米勒箝位 (CLAMP)，去飽和保護 (DESAT)，去飽和情況下軟關斷，拉電流 (OUTH) 和灌電流 (OUTL) 分離驅動輸出（僅限 NCD(V)57000），精確欠壓閉鎖 (UVLO)，低傳播延遲（最大值90 ns）和小脈沖失真（最大值25 ns），較高的共模瞬變抗擾度 (CMTI)——在 VCM = 1500 V條件下可承受 100kV/us（最小值），輸入信號范圍涵蓋 5 V 和 3.3 V，輸出差分偏置電壓（VDD2-VEE2）最高 25 V（最大值），VDD2 額定值為 25 V（最大值），VEE2 額定值為 -10 V（最大值）。NCD(V)5700x 提供 5 kVrms 電流隔離和 1.2 kV 工作電壓能力，輸入和輸出之間的爬電距離保證至少 8 mm。寬體 SOIC-16 封裝滿足增強型安全絕緣要求。
2023-07-21
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
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