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采用SiC MOSFET的3kW圖騰柱無(wú)橋PFC和次級(jí)端穩(wěn)壓LLC電源
節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)和客戶需求正在推動(dòng)更高效率和更小尺寸的電源解決方案，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)ACDC電源進(jìn)行功率因數(shù)校正 (PFC) 的要求日益普遍，通過(guò)減少諧波含量引起的電力線損耗，從而降低對(duì)交流電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施的壓力。而設(shè)計(jì)緊湊高效的 PFC 電源是一個(gè)復(fù)雜的開(kāi)發(fā)挑戰(zhàn)。
2023-04-26
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560V輸入、無(wú)光隔離反激式轉(zhuǎn)換器
在傳統(tǒng)的隔離式高壓反激式轉(zhuǎn)換器中，使用光耦合器將穩(wěn)壓信息從副邊基準(zhǔn)電壓源電路傳輸?shù)匠跫?jí)側(cè)，從而實(shí)現(xiàn)嚴(yán)格的穩(wěn)壓。問(wèn)題在于，光耦合器大大增加了隔離設(shè)計(jì)的復(fù)雜性：存在傳播延遲、老化和增益變化，所有這些都使電源環(huán)路補(bǔ)償復(fù)雜化，并可能降低可靠性。此外，在啟動(dòng)期間，需要泄放電阻或高壓?jiǎn)?dòng)電路來(lái)初始為IC上電。除非在啟動(dòng)元件上增加額外的高壓MOSFET，否則泄放電阻器是造成不受歡迎的功率損耗的來(lái)源。
2023-04-25
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Auto Accessories以及BMS的保護(hù)設(shè)計(jì)
隨著汽車功能的豐富，USB2.0/3.0、電源輸入口、按鍵、SD卡槽等被廣泛應(yīng)用。由于以下幾點(diǎn)，ESD、突入電流、拋負(fù)載以及負(fù)載短路等成為了硬件設(shè)計(jì)人員關(guān)注要點(diǎn)。例如，干燥季節(jié)，靜電通過(guò)這些接口破壞IC或設(shè)備中的任何其他ESD敏感器件；設(shè)備電源的開(kāi)關(guān)，汽車啟停以及人員的誤操作等產(chǎn)生的突入電流對(duì)電路構(gòu)成威脅，導(dǎo)致某些部件故障的發(fā)生等。另外，針對(duì)BMS系統(tǒng)，電路過(guò)電流、鋰電池過(guò)電流和電路EFT/尖峰均可能會(huì)損壞電路中的電子器件。
2023-04-24
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超共源共柵簡(jiǎn)史
盡管寬帶隙半導(dǎo)體已在功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用中略有小成，但在由 IGBT 占主導(dǎo)的高電壓/高功率領(lǐng)域仍未有建樹(shù)。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共柵” 將打破現(xiàn)有局面。讓我們一起來(lái)了解超共源共柵的歷史，并探討如何將其重新用于優(yōu)化現(xiàn)代設(shè)計(jì)。
2023-04-24
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SiC MOSFET的短溝道效應(yīng)
Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應(yīng)、Vth滯回效應(yīng)、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能給大家?guī)?lái)更多有價(jià)值的信息。今天我們著重看下第一部分——短溝道效應(yīng)。
2023-04-24
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OBC充電器中的SiC FET封裝小巧，功能強(qiáng)大
EV 車載充電器和表貼器件中的半導(dǎo)體電源開(kāi)關(guān)在使用 SiC FET 時(shí)，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)數(shù)萬(wàn)瓦特的功率。我們將了解一些性能指標(biāo)。
2023-04-23
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貿(mào)澤電子擴(kuò)充智慧農(nóng)業(yè)資源中心助力相關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)
2023年4月21日 – 業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 為工程師和農(nóng)業(yè)技術(shù)人員提供方便瀏覽的資源庫(kù)，重點(diǎn)關(guān)注農(nóng)業(yè)領(lǐng)域的動(dòng)態(tài)發(fā)展和技術(shù)。從機(jī)器人解決方案到嵌入式系統(tǒng)，貿(mào)澤內(nèi)容全面的智慧農(nóng)業(yè)資源中心讓用戶能夠接觸到眾多創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案，進(jìn)一步推動(dòng)農(nóng)業(yè)走向未來(lái)。貿(mào)澤提供豐富多樣的文章、博客、產(chǎn)品資料、電子書(shū)等，帶您探索智慧城市中的垂直農(nóng)業(yè)、數(shù)據(jù)融合和建造智能溫室等主題。
2023-04-21
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E-RSSI技術(shù)助力更精確的短距離測(cè)距應(yīng)用
RSSI是Received Signal Strength Indicator（接收信號(hào)強(qiáng)度指示器）的縮寫(xiě)，用于測(cè)量接收到的信號(hào)強(qiáng)度。在低功耗藍(lán)牙設(shè)備中，RSSI也具有重要的作用。
2023-04-19
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是時(shí)候從Si切換到SiC了嗎？
在過(guò)去的幾年里，碳化硅(SiC)開(kāi)關(guān)器件，特別是SiC MOSFET，已經(jīng)從一個(gè)研究課題演變成一個(gè)重要的商業(yè)化產(chǎn)品。最初是在光伏（PV）逆變器和電池電動(dòng)車（BEV）驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中采用，但現(xiàn)在，越來(lái)越多的應(yīng)用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設(shè)備和系統(tǒng)設(shè)計(jì)中都必須評(píng)估SiC在系統(tǒng)中可能的潛力，以及利用這一潛力的最佳策略是什么。那么，你從哪里開(kāi)始呢？
2023-04-18
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納芯微隔離和驅(qū)動(dòng)技術(shù)為SiC+800V電驅(qū)動(dòng)賦能
當(dāng)前，以新能源汽車為代表的新興汽車正在迅速替代傳統(tǒng)的燃油車，雖然新能源汽車正在成為更多人的選擇，但毋庸置疑，它在消費(fèi)者體驗(yàn)方面仍有痛點(diǎn)，一是充電不方便或充電比較慢，二是續(xù)航里程不夠。
2023-04-18
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RS瑞森半導(dǎo)體在汽車充電樁上的應(yīng)用
充電樁按照技術(shù)分類，可分為交流充電樁也叫“慢充”，直流充電樁也叫“快充”，隨著我國(guó)新能源汽車市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，充電樁市場(chǎng)的發(fā)展前景也更加廣闊。目前充電樁的母線電壓范圍通常為400V～700V，但隨著快速充電的需求不斷增加，整個(gè)電壓平臺(tái)都會(huì)向 800～1000V以上提升，電壓等級(jí)提升的同時(shí)也凸顯了SiC功率器件的優(yōu)勢(shì)。
2023-04-18
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貿(mào)澤聯(lián)手Apex推出全新電子書(shū)，探索高可靠性設(shè)計(jì)中的挑戰(zhàn)與難點(diǎn)
2023年4月14日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Apex Microtechnology聯(lián)手推出全新電子書(shū)《An Engineer’s Guide to High Reliability Components》（面向工程師的高可靠性元件指南），探索高可靠性元件設(shè)計(jì)中的挑戰(zhàn)和細(xì)節(jié)。書(shū)中，來(lái)自Apex Microtechnology的主題專家深入探討了高可靠性設(shè)計(jì)中的諸多難點(diǎn)。該書(shū)共收錄了五篇詳細(xì)的文章，分別介紹了熱管理、密封封裝和碳化硅等主題。
2023-04-14
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測(cè)芯片賦能多元高端測(cè)量場(chǎng)景
- 10MHz高頻運(yùn)行！氮矽科技發(fā)布集成驅(qū)動(dòng)GaN芯片，助力電源能效再攀新高
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- Pickering 新利器：Test System Architect 免費(fèi)上線，測(cè)試架構(gòu)設(shè)計(jì)從此可視化
- 加速邁向USB-C時(shí)代：REF_ARIF240GaN參考設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化高性能電池系統(tǒng)開(kāi)發(fā)
- IAR擴(kuò)展嵌入式開(kāi)發(fā)平臺(tái)，推出面向安全關(guān)鍵型應(yīng)用的長(zhǎng)期支持（LTS）服務(wù)
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