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集成電路發(fā)展策略與內(nèi)外環(huán)境認(rèn)知
近年來(lái)，集成電路行業(yè)處在風(fēng)口浪尖，備受關(guān)注。在剛剛結(jié)束的2022 ICS集成電路峰會(huì)上，魏少軍教授、李珂先生等行業(yè)專家給出了他們的觀點(diǎn)，用事實(shí)和數(shù)據(jù)說(shuō)明，在成熟的集成電路工藝和EDA工具上實(shí)現(xiàn)芯片產(chǎn)品創(chuàng)新，并不需要最先進(jìn)的工藝，追求能量效率這個(gè)指標(biāo)，就能實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品創(chuàng)新特色。說(shuō)到美國(guó)單向脫鉤，表示我們不想脫鉤，就會(huì)出現(xiàn)半脫鉤，美國(guó)要確保領(lǐng)先中國(guó)二代半導(dǎo)體技術(shù)。2023年他們會(huì)加大對(duì)中國(guó)遏制，不會(huì)減緩，只會(huì)加強(qiáng)。本期文章根據(jù)各位專家的觀點(diǎn)，從成熟技術(shù)創(chuàng)新，供應(yīng)鏈安全，補(bǔ)人才短板，半脫鉤下策略發(fā)展四個(gè)方面來(lái)看集成電路發(fā)展策略與內(nèi)外環(huán)境認(rèn)知。
2023-01-06
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芯片國(guó)產(chǎn)替代：替代策略與實(shí)施要?jiǎng)t干貨
在缺“芯”困局之下，國(guó)產(chǎn)替代的呼聲愈發(fā)高漲。但就目前的產(chǎn)業(yè)環(huán)境而言，國(guó)產(chǎn)芯片替代實(shí)際上機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存。半導(dǎo)體行業(yè)由于其自身“高精尖”特質(zhì)所致，是典型的資產(chǎn)密集、技術(shù)密集、人才密集型產(chǎn)業(yè)。產(chǎn)品從研發(fā)到量產(chǎn)的周期較長(zhǎng)，需數(shù)十年。同時(shí)，芯片國(guó)產(chǎn)化的機(jī)遇也是空前的。國(guó)家利好政策不斷發(fā)布：投資補(bǔ)助、稅收優(yōu)惠等為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展保駕護(hù)航，加之眾多資本持續(xù)加大對(duì)芯片產(chǎn)業(yè)的投資力度，也有助于國(guó)產(chǎn)廠商的發(fā)展及技術(shù)突破。本文內(nèi)容根據(jù)2022 ICS集成電路峰會(huì)論壇上，深圳市大盛唐科技有限公司總經(jīng)理韓軍龍帶來(lái)的國(guó)產(chǎn)替代實(shí)戰(zhàn)分享，來(lái)了解關(guān)于芯片國(guó)產(chǎn)替代的策略及實(shí)施要?jiǎng)t。
2023-01-06
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瑞薩電子推出首款支持新Matter協(xié)議的Wi-Fi開(kāi)發(fā)套件
2023 年 1 月 5 日，中國(guó)北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出首款支持新Matter協(xié)議的開(kāi)發(fā)套件，同時(shí)宣布將在未來(lái)所有Wi-Fi、低功耗藍(lán)牙?（BLE），和IEEE 802.15.4（Thread）方案中，以及最近收購(gòu)的Dialog Semiconductor和Celeno Communications產(chǎn)品上，提供對(duì)Matter的支持。
2023-01-05
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安森美的主驅(qū)逆變器碳化硅功率模塊被現(xiàn)代汽車選中用于高性能電動(dòng)汽車
2023年1月5日 —領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布安森美的EliteSiC系列碳化硅（SiC）功率模塊已被起亞（Kia Corporation）選中用于EV6 GT車型。這款電動(dòng)汽車（EV）從零速加速到60英里/小時(shí)只需3.4秒，最高時(shí)速達(dá)161英里/小時(shí)。在該高性能電動(dòng)汽車的主驅(qū)逆變器中，EliteSiC功率模塊實(shí)現(xiàn)了從電池的直流800V到后軸交流驅(qū)動(dòng)的高效電源轉(zhuǎn)換。安森美會(huì)繼續(xù)與現(xiàn)代起亞汽車集團(tuán)（Hyundai Motor Company and Kia Corporation，簡(jiǎn)稱HMC/KIA）合作，將EliteSiC技術(shù)用于其即將推出的基于電動(dòng)化全球模塊型平臺(tái)（E-GMP）的高性能電動(dòng)汽車。
2023-01-05
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OBC DC/DC SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)選型及供電設(shè)計(jì)要點(diǎn)
新能源汽車動(dòng)力域高壓化、小型化、輕型化是大勢(shì)所趨。更高的電池電壓如800V系統(tǒng)要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓?fù)渚哂懈叩拈_(kāi)關(guān)頻率。碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體代表，具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點(diǎn)，更適合車載充電機(jī)OBC、直流變換器 DC/DC、電機(jī)控制器等應(yīng)用場(chǎng)景高頻驅(qū)動(dòng)和高壓化的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。本文主要針對(duì)SiC MOSFET的應(yīng)用特點(diǎn)，介紹了車載充電機(jī)OBC和直流變換器DC/DC應(yīng)用中的SiC MOSFET的典型使用場(chǎng)景，并針對(duì)SiC MOSFET的特性推薦了驅(qū)動(dòng)芯片方案。最后，本文根據(jù)SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)對(duì)供電的特殊要求，對(duì)不同供電設(shè)計(jì)方案的優(yōu)劣勢(shì)進(jìn)行了分析。
2023-01-05
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細(xì)數(shù)心臟起搏器和ICD之間的差異
對(duì)于全球數(shù)百萬(wàn)需要借助外力來(lái)調(diào)節(jié)心律的人來(lái)說(shuō)，心臟起搏器和植入式心律轉(zhuǎn)復(fù)除顫器（ICD）是他們所依賴的、能夠改變生活的技術(shù)。雖然這兩種設(shè)備都是植入式醫(yī)療設(shè)備，旨在改善心律失常（一種心臟不規(guī)則跳動(dòng)的疾?。┗颊叩纳钯|(zhì)量，但它們各自有著不同的用途。
2023-01-05
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貿(mào)澤電子推出傳感器設(shè)計(jì)資源網(wǎng)站
2023年1月3日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布推出全新資源網(wǎng)站，專門(mén)提供傳感器設(shè)計(jì)指南。該網(wǎng)站收錄了豐富的技術(shù)文章，并且還在持續(xù)更新中。這些文章專門(mén)介紹傳感器設(shè)計(jì)應(yīng)用的復(fù)雜性，并為工程師提供解決復(fù)雜設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)所需的信息。讀者可訪問(wèn)https://resources.mouser.com/sensor-design-guides進(jìn)入該資源網(wǎng)站。
2023-01-04
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ADI和Seeing Machines攜手推進(jìn)先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)，加速提升駕駛安全
中國(guó)，北京—2023年1月4日—Analog Devices, Inc. (Nasdaq: ADI)（全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司）和Seeing Machines (LSE:SEE)（先進(jìn)的計(jì)算機(jī)視覺(jué)技術(shù)公司，擅長(zhǎng)設(shè)計(jì)基于AI的駕駛員監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，以提高行駛安全性）宣布達(dá)成合作，共同支持高性能駕駛員和乘客監(jiān)測(cè)系統(tǒng)(DMS/OMS)技術(shù)的研發(fā)。
2023-01-04
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Si對(duì)比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實(shí)現(xiàn)更高的效率水平，但有時(shí)難以輕易決定這項(xiàng)技術(shù)是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標(biāo)準(zhǔn)因素。
2023-01-04
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淺談“電壓處理”：一個(gè)鋁電解電容選型應(yīng)用必須了解的知識(shí)點(diǎn)
我們可能會(huì)發(fā)現(xiàn)在Nichicon的UVZ系列鋁電解電容的數(shù)據(jù)手冊(cè)中會(huì)出現(xiàn)“電壓處理”（Voltage Treatment）這個(gè)概念。
2023-01-04
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2022中國(guó)（深圳）集成電路峰會(huì)圓滿落下帷幕
“2022中國(guó)（深圳）集成電路峰會(huì)”(簡(jiǎn)稱ICS2022峰會(huì))于12月29日和30日成功舉辦高峰論壇和全球存儲(chǔ)器行業(yè)創(chuàng)新論壇二個(gè)主論壇，以及六場(chǎng)專題論壇，包括集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新論壇、芯火平臺(tái)產(chǎn)教融合創(chuàng)新發(fā)展論壇、半導(dǎo)體供應(yīng)鏈發(fā)展論壇、集成電路產(chǎn)業(yè)融合論壇、珞珈聚芯協(xié)同創(chuàng)新論壇和國(guó)微 EDA 生態(tài)建設(shè)論壇。專業(yè)觀眾與行業(yè)專家和行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)可廣泛討論了技術(shù)、產(chǎn)品、市場(chǎng)、投資、產(chǎn)學(xué)研商合作、國(guó)際環(huán)境對(duì)策、人才戰(zhàn)略和務(wù)實(shí)的技術(shù)創(chuàng)新路線。
2023-01-01
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RS瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管在光伏逆變器的應(yīng)用
碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng)，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許 SiC器件在高于硅的結(jié)溫下使用，甚至超過(guò) 200°C。碳化硅在功率應(yīng)用中的主要優(yōu)勢(shì)是其低漂移區(qū)電阻，這是高壓功率器件的關(guān)鍵因素。
2022-12-30
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測(cè)芯片賦能多元高端測(cè)量場(chǎng)景
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