-
貿(mào)澤電子內(nèi)容中心推出機(jī)器人專題，一站提供各類豐富資源及前沿產(chǎn)品
2022年1月20日 – 專注于引入新品并提供海量庫存?的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 在貿(mào)澤內(nèi)容中心開辟了機(jī)器人專題，為工程師提供廣泛而深入的專業(yè)知識和內(nèi)容，幫助其加快機(jī)器人設(shè)計速度。此專題包含一系列文章、博客、圖表和精選產(chǎn)品，重點介紹全球知名制造商的特色產(chǎn)品，以及如何將其解決方案合理實現(xiàn)到機(jī)器人應(yīng)用和機(jī)器人過程自動化 (RPA) 解決方案中。要開始探索貿(mào)澤內(nèi)容中心的機(jī)器人專題，請從導(dǎo)航菜單中選擇Applications（應(yīng)用）中的Industrial（工業(yè)）板塊，并進(jìn)入Robotics（機(jī)器人）專題；或者也可直接點擊https://resources.mouser.com/robotics。
2022-01-20
-
如何加快設(shè)計和調(diào)試速度？具有突破性、可擴(kuò)展、直觀易用的上電時序系統(tǒng)是關(guān)鍵！
各行各業(yè)的電子系統(tǒng)都變得越來越復(fù)雜，這已經(jīng)不是什么秘密。至于這種復(fù)雜性如何滲透到電源設(shè)計中，卻不是那么明顯。例如，功能復(fù)雜性一般通過使用ASIC、FPGA和微處理器來解決，在更小的外形尺寸中融入更豐富的應(yīng)用特性。
2022-01-20
-
橋式電路的開關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓
本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關(guān)動作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。
2022-01-19
-
低邊開關(guān)導(dǎo)通時的Gate-Source間電壓的動作
上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動電路的開關(guān)工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOSFET在LS導(dǎo)通時的動作情況。
2022-01-19
-
貿(mào)澤電子2021年新增110家制造商合作伙伴產(chǎn)品分銷陣容再升級
2022年1月18日 – 專注于引入新品并提供海量庫存?的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布2021年新增供應(yīng)商數(shù)再創(chuàng)記錄，達(dá)到了113家，產(chǎn)品分銷陣容進(jìn)一步擴(kuò)大，為廣大設(shè)計工程師與采購人員提供了更加多元化的選擇。貿(mào)澤為客戶提供各類先進(jìn)的技術(shù)，以幫助設(shè)計人員避免代價高昂的重新設(shè)計、生產(chǎn)延誤甚至項目終止。
2022-01-18
-
為什么貼片的開關(guān)穩(wěn)壓器模塊能提高設(shè)計工程師的工作效率
制造商不愿意將錢花在現(xiàn)成的模塊上，而是參考控制IC的應(yīng)用電路，使用分立器件搭建一個開關(guān)穩(wěn)壓器安裝在電路板上。這種方法在理論上是有效的，但實際上卻存在一些問題。
2022-01-18
-
ScaleFlux為高性能數(shù)據(jù)庫提供超密集的計算存儲解決方案
作為大規(guī)模部署計算存儲的領(lǐng)導(dǎo)者，ScaleFlux于近日宣布其旗艦CSD 2000解決方案與Supermicro的FatTwin?（一種高密度4U多節(jié)點系統(tǒng)）相契合——提供了一個完全集成的高性能、經(jīng)濟(jì)高效的平臺，非常適合部署Redis on Flash (RoF)。
2022-01-17
-
SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？
自舉式懸浮驅(qū)動電路可以極大的簡化驅(qū)動電源的設(shè)計，只需要一路電源就可以驅(qū)動上下橋臂兩個開關(guān)管的驅(qū)動，可以節(jié)省Si MOSFET功率器件方案的成本。隨著新能源受到全球政府的推動與支持，與新能源相關(guān)的半導(dǎo)體芯片需求激増，導(dǎo)致產(chǎn)能緊缺。綠色低碳技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用是實現(xiàn)碳中和目標(biāo)的重要一環(huán)，碳化硅是應(yīng)用于綠色低碳領(lǐng)域的共用性技術(shù)，SiC MOSFET替代Si MOSEFET成為了許多廠商的新選擇。不過，SiC MOSFET的驅(qū)動與Si MOSFET到底有什么區(qū)別，替代時電路設(shè)計如何調(diào)整，是工程師非常關(guān)心的。我們《SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時如何實現(xiàn)負(fù)壓？》一文中已經(jīng)分享了負(fù)壓自舉的小技巧。本文SiC MOSFET驅(qū)動常規(guī)自舉電路的注意事項。
2022-01-17
-
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個主題的前提。
2022-01-17
-
SiC MOSFET的柵極驅(qū)動電路和Turn-on/Turn-off動作
LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時的VDS和ID的變化方式不同。在探討SiC MOSFET的這種變化對Gate-Source電壓（VGS）帶來的影響時,需要在包括SiC MOSFET的柵極驅(qū)動電路的寄生分量在內(nèi)的等效電路基礎(chǔ)上進(jìn)行考量。
2022-01-17
-
如何才能更易于實施安全性？擴(kuò)展工業(yè)控制系統(tǒng)中的安全終端！
工業(yè)控制系統(tǒng)(ICS)中的網(wǎng)絡(luò)安全問題勢必延緩工業(yè)4.0的采用。許多企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者發(fā)現(xiàn)ICS網(wǎng)絡(luò)安全挑戰(zhàn)非常難以理解，因為眾多因素導(dǎo)致其非常復(fù)雜。此外，開發(fā)工業(yè)控制系統(tǒng)解決方案的工程師可能尚未看到在設(shè)備層面的重大網(wǎng)絡(luò)安全要求。
2022-01-16
-
貿(mào)澤電子2021 Empowering Innovation Together計劃完美收官
2022年1月13日 – 自2015年以來，貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 已經(jīng)通過其屢獲殊榮的Empowering Innovation Together?（共求創(chuàng)新）計劃為工程師提供了有關(guān)業(yè)界新趨勢和新技術(shù)的廣泛見解。貿(mào)澤的2021 Empowering Innovation Together系列總共有七集，重點討論了5G、電源管理、人工智能、傳感器融合、智能運(yùn)輸系統(tǒng)、射頻無線技術(shù)和工業(yè)自動化等關(guān)鍵主題。
2022-01-13
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運(yùn)行！氮矽科技發(fā)布集成驅(qū)動GaN芯片，助力電源能效再攀新高
- 失真度僅0.002%！力芯微推出超低內(nèi)阻、超低失真4PST模擬開關(guān)
- 一“芯”雙電！圣邦微電子發(fā)布雙輸出電源芯片，簡化AFE與音頻設(shè)計
- 一機(jī)適配萬端：金升陽推出1200W可編程電源，賦能高端裝備制造
- 告別“代理”負(fù)擔(dān)：Akamai 與 NVIDIA 聯(lián)手為老舊工業(yè)設(shè)備提供硬件隔離保護(hù)
- 被誤導(dǎo)的決策者：警惕將 Token 消耗視為 AI 成功指標(biāo)
- Pickering 新利器：Test System Architect 免費(fèi)上線，測試架構(gòu)設(shè)計從此可視化
- 加速邁向USB-C時代：REF_ARIF240GaN參考設(shè)計簡化高性能電池系統(tǒng)開發(fā)
- IAR擴(kuò)展嵌入式開發(fā)平臺，推出面向安全關(guān)鍵型應(yīng)用的長期支持（LTS）服務(wù)
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
